是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | TO-39, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.17 |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压: | 200 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 10 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JAN2N4930 | MICROSEMI |
功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4930LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P | |
2N4931 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package | |
2N4931 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR | |
2N4931 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS | |
2N4931 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR | |
2N4931LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P | |
2N4932 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER HF BJT | |
2N4933 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 200V 0.2A 3-Pin TO-39 | |
2N4934 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON N-P-N TRANSISTOR | |
2N4934 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,TO-104, BIP General Purpose Small Signal |