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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | TO-39, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.17 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N4930 | MICROSEMI |
功能相似  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4930LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P |
|
| 2N4931 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
|
| 2N4931 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N4931 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
|
| 2N4931 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N4931LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P |
|
| 2N4932 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER HF BJT |
|
| 2N4933 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 200V 0.2A 3-Pin TO-39 |
|
| 2N4934 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON N-P-N TRANSISTOR |
|
| 2N4934 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,TO-104, BIP General Purpose Small Signal |
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