是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.18 |
最大集电极电流 (IC): | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压: | 200 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 25 |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 20 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4930LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P | |
2N4931 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package | |
2N4931 | MICROSEMI |
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PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR | |
2N4931 | NJSEMI |
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HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS | |
2N4931 | CENTRAL |
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PNP SILICON TRANSISTOR | |
2N4931LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P | |
2N4932 | NJSEMI |
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SI NPN POWER HF BJT | |
2N4933 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 200V 0.2A 3-Pin TO-39 | |
2N4934 | NJSEMI |
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SILICON N-P-N TRANSISTOR | |
2N4934 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,TO-104, BIP General Purpose Small Signal |