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2N4923

更新时间： 2024-02-22 03:09:24
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2页 45K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2N4923 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-225包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.75Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/224308.1.1.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=224308PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=224308
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=224308Samacsys PartID：224308
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/2N4923G.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/2N4923G.jpg
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-225 CASE 77-09
Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-225JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2N4923 数据手册

 浏览型号2N4923的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
2N4923  
TO-126  
Boca Semiconductor Corp.  
BSC  
http://www.bocasemi.com  
General Purpose Power Transistor  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 deg C)  
DESCRIPTION  
VALUE  
UNIT  
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Base Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
80  
80  
5.0  
3.0  
1.0  
V
V
V
A
A
IB  
Power Dissipation @ Tc=25 deg C  
Derate Above 25 deg C  
Operating And Storage Junction  
Temperature Range  
PD  
30  
W
0.24  
-65 to +150  
W/deg C  
deg C  
Tj, Tstg  
Lead Temperature for Soldering 1/16" TL  
from Body for 10 Seconds.  
260  
deg C  
Thermal Resistance  
Junction to Case  
Rth (j-c)  
4.16  
deg C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)  
DESCRIPTION  
Collector -Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut off Current  
SYMBOL  
VCEO(sus) IC=100mA, IB=0  
ICEO  
ICBO  
ICEX  
TEST CONDITION  
MIN TYP MAX  
UNIT  
V
mA  
mA  
mA  
80  
-
-
-
-
-
-
VCE=40V, IB=0  
VCB=80V, IE=0  
VCB=80V,VEB(0ff)=1.5V  
Tc=125 deg C  
0.5  
0.1  
0.1  
-
-
VCB=80V,VEB(0ff)=1.5V  
VEB=5V, IC=0  
IC=50mA,VCE=1V  
IC=500mA,VCE=1V  
IC=1A,VCE=1V  
IC=1A, IB=0.1A  
IC=1A, IB=0.1A  
IC=1A,VCE=1V  
-
-
40  
30  
10  
-
-
-
-
0.5  
1.0  
-
150  
-
0.6  
1.3  
1.3  
mA  
mA  
-
Emitter Cut off Current  
DC Current Gain  
IEBO  
hFE *  
-
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter on Voltage  
VCE(sat)*  
VBE(sat)*  
VBE(on) *  
V
V
V
-
-
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Transistors frequency  
Output Capacitance  
ft  
Cob  
hfe  
IC=250mA,VCE=10V,f=1MHz  
VCB=10V, IE=0, f=100kHz  
IC=250mA,VCE=10V,f=1kHz  
3.0  
-
25  
-
-
-
-
100  
-
MHz  
pF  
Small Signal Current Gain  
*Pulse Test PW=300us, Duty Cycle=2%  
Continental Device India Limited  
Page 1 of 2  
Data Sheet  
12

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