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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N4920G
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2N4920G

更新时间： 2024-11-23 03:56:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 121K
描述
Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors

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2N4920G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：0.71
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2N4920G 数据手册

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2N4918 − 2N4920* Series  
Preferred Device  
Medium−Power Plastic PNP  
Silicon Transistors  
These medium−power, high−performance plastic devices are  
designed for driver circuits, switching, and amplifier applications.  
http://onsemi.com  
Features  
• Pb−Free Package is Available**  
3.0 A, 40−80 V, 30 W  
GENERAL PURPOSE  
POWER TRANSISTORS  
• Low Saturation Voltage − V  
= 0.6 Vdc (Max) @ I = 1.0 A  
C
CE(sat)  
• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction,  
P = 30 W @ T = 25_C  
D
C
• Excellent Safe Operating Area  
• Gain Specified to I = 1.0 A  
C
• Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923  
MAXIMUM RATINGS  
TO−225  
CASE 077  
STYLE 1  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector − Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
2N4918  
2N4919  
2N4920  
40  
60  
80  
3
2
1
MARKING DIAGRAM  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Vdc  
2N4918  
2N4919  
2N4920  
40  
60  
80  
YWW  
2N  
49xx  
5.0  
Vdc  
Adc  
Collector Current − Continuous  
(Note 1)  
I
C
1.0  
3.0  
xx  
Y
WW  
= 18, 19, 20  
= Year  
= Work Week  
(Note 2)  
Base Current  
I
B
1.0  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
30  
W
A
Derate above 25°C  
0.24  
W/°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
*Preferred devices are recommended choices for future  
use and best overall value.  
1. The 1.0 A max I value is based upon JEDEC current gain requirements. The  
C
3.0 A max value is based upon actual current−handling capability of the  
device (See Figure 5).  
2. Indicates JEDEC Registered Data for 2N4918 Series.  
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 3)  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
4.16  
°C/W  
q
JC  
Junction−to−Case  
3. Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.  
**For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details,  
please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
July, 2004 − Rev. 11  
2N4918/D  
 
123456

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2N4920G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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