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2N4912

更新时间： 2024-01-07 02:30:45

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2N4912 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.03	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-66	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2N4912 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2N4912

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 80V(Min)

·Low Collector Saturatioin Voltage-

: V_CE(sat)= 0.6V(Max.)@ I_C= 1A

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2N4900

APPLICATIONS

·Designed for driver circuits, switching and amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Collector Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

7.0 ℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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