是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-276AA |
包装说明: | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.06 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JEDEC-95代码: | TO-276AA | JESD-30 代码: | R-CBCC-N3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 3 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4912 | NJSEMI |
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MEDIUM-POWER NPN SILICON TRANSISTORS | |
2N4912 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(1A,80V,25W) | |
2N4912 | CENTRAL |
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Power Transistors | |
2N4912 | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR | |
2N4912 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor | |
2N4912 |
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Silicon Epitaxial NPN Transistor | ||
2N4912X | SEME-LAB |
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NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE | |
2N4912XSMD05 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-276AA | |
2N4913 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | |
2N4913 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |