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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | 最大降落时间（tf）： | 600 ns |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大上升时间（tr）： | 400 ns | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N4399LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N4399MP | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N439A | NJSEMI | NPN HIGH FREQUENCY COMPUTER TRANSISTORS |
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| 2N43A | ETC | alloy-junction germanium transistors |
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| 2N440 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-5 |
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| 2N4400 | MICRO-ELECTRONICS | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
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