2N4400

更新时间： 2024-11-17 22:29:27

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
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Si-Epitaxial PlanarTransistors

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2N4400 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2N4400 数据手册

2N4400, 2N4401

General Purpose Transistors

Si-Epitaxial PlanarTransistors NPN

NPN

Version 2004-01-20

Power dissipation – Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

2N4400, 2N4401

40 V

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

V_CE0

V_EB0

P_tot

I_C

Collector-Base-voltage

60 V

Emitter-Base-voltage

6 V

625 mW ¹)

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

600 mA

T_j

150°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

400 mV

750 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_BEsat

750 mV

–

950 mV

1.2 V

Collector cutoff current – Kollektorreststrom

V_CE= 35 V, V_EB= 0.4 V

I_CBV

–

100 nA

Emitter cut-off current – Emitterreststrom

V_CE= 35 V, V_EB= 0.4 V

I_EBV

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4400/D	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors NPN
2N4400/D10Z	TI	获取价格	600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400/D26Z	TI	获取价格	600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400/D27Z	TI	获取价格	600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400_01	TAITRON	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
2N4400-18	MOTOROLA	获取价格	600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2N4400-18R	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
2N4400-18RLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,

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