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2N4400RL1

更新时间： 2024-11-18 19:59:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
25页 432K
描述
TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N4400RL1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

2N4400RL1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
*Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
6.0  
600  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
40  
60  
6.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Base Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
I
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
BEV  
= 0.4 Vdc)  
= 0.4 Vdc)  
EB  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
EB  
I
—
CEX  
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–27  
1234567...25

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4400RLRA ONSEMI

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 		600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
2N4400RLRB MOTOROLA

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 		600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400RLRE ONSEMI

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 		600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
2N4400RLRM ONSEMI

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 		TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
2N4400RLRM MOTOROLA

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 		600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400RLRP MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N4400STOA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
2N4400STOB DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
2N4400STZ DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
2N4400-T/R NXP

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 		TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal

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