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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N4400RLRM
2N4400RLRM PDF预览

2N4400RLRM

更新时间： 2024-11-18 13:01:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 306K
描述
TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N4400RLRM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

2N4400RLRM 数据手册

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by 2N4400/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
*Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
6.0  
600  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
40  
60  
6.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Base Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
I
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
BEV  
= 0.4 Vdc)  
= 0.4 Vdc)  
CE EB  
Collector Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
I
—
CEX  
CE EB  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4400RLRP MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N4400STOA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
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2N4400-T/R NXP

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 		TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
2N4400TA ROCHESTER

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2N4400TAR FAIRCHILD

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