2N4401

更新时间： 2024-01-03 23:29:33

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	36K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

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2N4401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	VCEsat-Max：	0.75 V
Base Number Matches：	1

2N4401 数据手册

2N4400, 2N4401

General Purpose Transistors

Si-Epitaxial PlanarTransistors NPN

NPN

Version 2004-01-20

Power dissipation – Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

2N4400, 2N4401

40 V

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

V_CE0

V_EB0

P_tot

I_C

Collector-Base-voltage

60 V

Emitter-Base-voltage

6 V

625 mW ¹)

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

600 mA

T_j

150°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

400 mV

750 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_BEsat

750 mV

–

950 mV

1.2 V

Collector cutoff current – Kollektorreststrom

V_CE= 35 V, V_EB= 0.4 V

I_CBV

–

100 nA

Emitter cut-off current – Emitterreststrom

V_CE= 35 V, V_EB= 0.4 V

I_EBV

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

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2N4401 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N3904	DIOTEC	类似代替	Si-Epitaxial PlanarTransistors
2N4401TA	FAIRCHILD	功能相似	This device is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector
2N3904BU	FAIRCHILD	功能相似	NPN General Purpose Amplifier

与2N4401相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4401/D	ETC	获取价格	General Purpose Transistors
2N4401/D10Z-18	TI	获取价格	40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4401/D10Z-5	TI	获取价格	40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4401/D10Z-J14Z	TI	获取价格	40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4401/D10Z-J25Z	TI	获取价格	40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4401/D10Z-J61Z	TI	获取价格	40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4401/D11Z	TI	获取价格	600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4401/D11Z-18	TI	获取价格	40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4401/D26Z	TI	获取价格	1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4401/D26Z-J05Z	TI	获取价格	1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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