2N4400/D

更新时间： 2024-02-05 18:00:14

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
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6页	306K
描述
General Purpose Transistors NPN

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2N4400/D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6.5 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
VCEsat-Max：	0.75 V	Base Number Matches：	1

2N4400/D 数据手册

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by 2N4400/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

*Motorola Preferred Device

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

Vdc

6.0

600

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

6.0

—

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 0.1 mAdc, I = 0)

(BR)CBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 0.1 mAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)EBO

Base Cutoff Current

(V = 35 Vdc, V

0.1

µAdc

BEV

= 0.4 Vdc)

CE EB

Collector Cutoff Current

(V = 35 Vdc, V

—

CEX

CE EB

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4 5 6

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