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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N4400/D
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2N4400/D

更新时间： 2024-02-22 14:35:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 306K
描述
General Purpose Transistors NPN

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2N4400/D 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.68Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：6.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

2N4400/D 数据手册

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ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (Continued)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
(1)  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 0.1 mAdc, V  
C
h
FE  
—
= 1.0 Vdc)  
= 1.0 Vdc)  
2N4401  
20  
—
CE  
(I = 1.0 mAdc, V  
C
2N4400  
2N4401  
20  
40  
—
—
CE  
(I = 10 mAdc, V  
= 1.0 Vdc)  
2N4400  
2N4401  
40  
80  
—
—
C
CE  
(I = 150 mAdc, V  
= 1.0 Vdc)  
= 2.0 Vdc)  
2N4400  
2N4401  
50  
100  
150  
300  
C
CE  
CE  
(I = 500 mAdc, V  
C
2N4400  
2N4401  
20  
40  
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 150 mAdc, I = 15 mAdc)  
V
V
—
—
0.4  
0.75  
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 150 mAdc, I = 15 mAdc)  
0.75  
—
0.95  
1.2  
C
B
BE(sat)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
C
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
B
f
T
MHz  
(I = 20 mAdc, V  
= 10 Vdc, f = 100 MHz)  
2N4400  
2N4401  
200  
250  
—
—
C
CE  
Collector–Base Capacitance (V  
CB  
= 5.0 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
C
—
—
6.5  
30  
pF  
pF  
E
cb  
Emitter–Base Capacitance (V  
= 0.5 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
EB  
eb  
Input Impedance  
(I = 1.0 mAdc, V  
C CE  
h
ie  
k ohms  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
2N4400  
2N4401  
0.5  
1.0  
7.5  
15  
–4  
X 10  
Voltage Feedback Ratio (I = 1.0 mAdc, V  
C
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
re  
0.1  
8.0  
CE  
Small–Signal Current Gain  
h
fe  
—
(I = 1.0 mAdc, V  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
2N4400  
2N4401  
20  
40  
250  
500  
C
CE  
Output Admittance (I = 1.0 mAdc, V  
CE  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
oe  
1.0  
30  
µmhos  
C
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Delay Time  
t
—
—
—
—
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
d
(V  
CC  
C
= 30 Vdc, V = 2.0 Vdc,  
BE  
I
= 150 mAdc, I = 15 mAdc)  
B1  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
t
r
t
225  
30  
s
(V  
CC  
= 30 Vdc, I = 150 mAdc,  
C
I = I = 15 mAdc)  
B1 B2  
t
f
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS  
+30 V  
200  
+30 V  
1.0 to 100 µs,  
DUTY CYCLE  
Ω
1.0 to 100  
DUTY CYCLE  
µs,  
200  
Ω
+16 V  
0
≈ 2.0%  
+16 V  
0
≈
2.0%  
1.0 k  
Ω
–14 V  
1.0 k  
Ω
C * < 10 pF  
S
–2.0 V  
C
* < 10 pF  
S
< 20 ns  
< 2.0 ns  
–4.0 V  
Scope rise time < 4.0 ns  
*Total shunt capacitance of test jig connectors, and oscilloscope  
Figure 1. Turn–On Time  
Figure 2. Turn–Off Time  
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
123456

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