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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N4400/D
2N4400/D PDF预览

2N4400/D

更新时间： 2024-02-05 21:57:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 306K
描述
General Purpose Transistors NPN

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2N4400/D 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.68Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：6.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

2N4400/D 数据手册

 浏览型号2N4400/D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N4400/D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N4400/D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N4400/D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N4400/D的Datasheet PDF文件第6页 
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
NOISE FIGURE  
V
= 10 Vdc, T = 25°C  
CE  
A
Bandwidth = 1.0 Hz  
10  
8.0  
6.0  
10  
I
I
I
I
= 1.0 mA, R = 150  
Ω
Ω
Ω
f = 1.0 kHz  
C
C
C
C
S
= 500  
= 100  
µ
A, R = 200  
S
R
= OPTIMUM  
S
8.0  
6.0  
µA, R = 2.0 k  
S
RS = SOURCE  
RS = RESISTANCE  
I
I
I
I
= 50 µA  
= 100  
= 500  
C
C
C
C
= 50 µA, R = 4.0 kΩ  
S
µ
A
µA  
= 1.0 mA  
4.0  
4.0  
2.0  
0
2.0  
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2  
0.5 1.0 2.0 5.0  
10 20  
50 100  
50  
100 200  
500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k  
50 k 100 k  
f, FREQUENCY (kHz)  
R
, SOURCE RESISTANCE (OHMS)  
S
Figure 9. Frequency Effects  
Figure 10. Source Resistance Effects  
h PARAMETERS  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz, T = 25°C  
V
CE  
This group of graphs illustrates the relationship between  
and other “h” parameters for this series of transistors. To  
A
selected from both the 2N4400 and 2N4401 lines, and the  
same units were used to develop the correspondingly num-  
bered curves on each graph.  
h
fe  
obtain these curves, a high–gain and a low–gain unit were  
300  
50 k  
2N4401 UNIT 1  
2N4401 UNIT 2  
2N4400 UNIT 1  
200  
20 k  
2N4400 UNIT 2  
10 k  
100  
70  
5.0 k  
2.0 k  
2N4401 UNIT 1  
2N4401 UNIT 2  
50  
2N4400 UNIT 1  
2N4400 UNIT 2  
30  
20  
1.0 k  
500  
0.1  
0.2 0.3  
I
0.5 0.7 1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
0.1  
0.2 0.3  
0.5 0.7 1.0  
, COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
, COLLECTOR CURRENT (mA)  
I
C
Figure 11. Current Gain  
Figure 12. Input Impedance  
10  
100  
50  
7.0  
5.0  
2N4401 UNIT 1  
2N4401 UNIT 2  
2N4400 UNIT 1  
2N4400 UNIT 2  
3.0  
2.0  
20  
10  
1.0  
0.7  
0.5  
5.0  
2N4401 UNIT 1  
2N4401 UNIT 2  
2N4400 UNIT 1  
2N4400 UNIT 2  
2.0  
1.0  
0.3  
0.2  
0.1  
0.2  
0.3  
I
0.5 0.7 1.0  
2.0  
3.0  
5.0 7.0 10  
0.1  
0.2 0.3  
0.5 0.7 1.0  
, COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
, COLLECTOR CURRENT (mA)  
I
C
Figure 13. Voltage Feedback Ratio  
Figure 14. Output Admittance  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
4
123456

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