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2N4340

更新时间： 2024-11-29 22:35:51

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描述
N-Channel JFET Low Noise Amplifier

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2N4340 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.35	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	1500 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	3 pF	JEDEC-95代码：	TO-18
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N4340 数据手册

N-Channel JFET

Low Noise Amplifier

CORPORATION

2N4338 – 2N4341

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise noted)

Exceptionally High Figure of Merit

Radiation Immunity

Extremely Low Noise and Capacitance

High Input Impedance

•

Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55^oC to +175^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate above 25^oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mW/^oC

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

•

APPLICATIONS

Low-level Choppers

Data Switches

Multiplexers and Low Noise Amplifiers

•

PIN CONFIGURATION

ORDERING INFORMATION

Part

Package

Temperature Range

-55^oC to +175^oC

TO-18

2N4338-41

Hermetic TO-18

X2N4338-41 Sorted Chips in Carriers -55^oC to +175^oC

G,C

5010

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC unless otherwise specified)

2N4338

2N4339

2N4340

2N4341

SYMBOL

PARAMETER

Gate Reverse Current

UNITS

TEST CONDITIONS

MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX

-0.1

I_GSS

V_GS= -30V, V_DS= 0

T_A= 150^oC

µA

BV_GSS

V_GS(off)

Gate-Source Breakdown Voltage

Gate-Source Cutoff Voltage

-50

-1

-50

-2

I_G= -1µA, V_DS= 0

-0.3

-1

-0.6 -1.8

-3

-6

V_DS= 15V, I_D= 0.1µA

0.05

(-5)

0.05

(-5)

0.05

(-5)

0.07

(-10) (V)

_DS= 15V,

I_D(off)

I_DSS

g_fs

Drain Cutoff Current

V_GS= ( )

Saturation Drain Current (Note 2)

0.2 0.6 0.5 1.5 1.2 3.6

V_DS= 15V, V_GS= 0

Common-Source Forward

Transconductance (Note 2)

600 1800 800 2400 1300 3000 2000 4000

_DS= 15V,

_GS= 0

µS

f = 1kHz

g_os

Common-Source Output Conductance

Drain-Source ON Resistance

2500

1700

1500

r_DS(on)

C_iss

800 ohm V_DS= 0, I_DS= 0

Common-Source Input Capacitance

_DS= 15V,

f = 1MHz

f = 1kHz

Common-Source Reverse Transfer

Capacitance

V_GS= 0 (Note 1)

C_rss

V_DS= 15V,

V_GS= 0

R_gen= 1meg,

BW = 200Hz

Noise Figure (Note 1)

NOTES: 1. For design reference only, not 100% tested.

2. Pulse test duration 2ms (non-JEDEC Condition).

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