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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.54 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-106 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N424A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N4250 | CENTRAL |
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Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications |
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| 2N4250 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 40V |
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| 2N4250A | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications |
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| 2N4250A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V |
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| 2N4250A | VISHAY |
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Transistor |
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| 2N4250A | ASI |
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Transistor |
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| 2N4250M | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 40V |
|
| 2N4251 | NJSEMI |
获取价格 |
PHYSICAL DIMENSIONS |
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| 2N4252 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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