5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4249 | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications |
|
| 2N4249 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP LO-PWR BJT |
|
| 2N424A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
|
| 2N4250 | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications |
|
| 2N4250 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 40V |
|
| 2N4250A | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications |
|
| 2N4250A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V |
|
| 2N4250A | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N4250A | ASI |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N4250M | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 40V |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
