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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4103LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 800V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-3, HERM |
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| 2N4104 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device |
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| 2N4108 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 50V TO 99.9V |
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| 2N411 | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,15MA I(C),TO-40 |
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| 2N4110 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.18A I(T)RMS, 180mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N4111 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N4111 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N4111E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N4112 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
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| 2N4112 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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