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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4114 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N4114E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N4115 | NJSEMI |
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NPN POWER TRANSISTORS |
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| 2N4116 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 |
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| 2N4116E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N4117 | NJSEMI |
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N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| 2N4117 | MICROSS |
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an Ultra-High Input Impedance N-Channel JFET |
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| 2N4117 | CALOGIC |
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N-Channel JFET General Purpose Amplifier |
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| 2N4117 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| 2N4117 | RHOPOINT |
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N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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