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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.13 | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 40 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 16 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4104 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
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| 2N4108 | NJSEMI |
获取价格 |
SCR, V(DRM) = 50V TO 99.9V |
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| 2N411 | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,15MA I(C),TO-40 |
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| 2N4110 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.18A I(T)RMS, 180mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N4111 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N4111 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N4111E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N4112 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
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| 2N4112 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N4112 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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