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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A | 配置： | Single |
| 最高工作温度： | 71 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.08 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 16 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4110 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.18A I(T)RMS, 180mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N4111 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N4111 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N4111E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N4112 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
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| 2N4112 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N4112 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N4112E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N4113 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N4113 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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