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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-111 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-111 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3996_1 | MICROSEMI |
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NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3996SMD | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3996SMD05 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3997 | SEMICOA |
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Silicon NPN Transistor |
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| 2N3997 | SSDI |
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5 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N3997 | MICROSEMI |
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NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3997 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 |
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| 2N3997SMD | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3997SMD05 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3998 | NJSEMI |
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N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON POWER TRANSISTOR |
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