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2N3998

更新时间: 2024-02-05 01:55:47
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页数 文件大小 规格书
2页 175K
描述
N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON POWER TRANSISTOR

2N3998 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-276AB
JESD-30 代码:R-CBCC-N3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2N3998 数据手册

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