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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3980 | MOTOROLA |
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Silicon Annular PN Unijunction Transister |
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| 2N3980 | NJSEMI |
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SILICON ANNULAR PN UNIJUNCTION TRANSISTOR |
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| 2N398A | NJSEMI |
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PNP germanium transistor for high-voltage, audio-frequency applications |
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| 2N398B | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 105V 0.2A |
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| 2N399 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N3991 | NJSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| 2N3993 | NJSEMI |
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P-CHANNEL JINCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| 2N3993 | INTERFET |
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P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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| 2N3993 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| 2N3993A | INTERFET |
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P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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