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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-111 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-111 | JESD-30 代码： | O-MUPM-X4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3996 | MICROSEMI |
功能相似  |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N3996 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3996 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3996_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3996SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| 2N3996SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3997 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
|
| 2N3997 | SSDI |
获取价格 |
5 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N3997 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3997 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 |
|
| 2N3997SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| 2N3997SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| 2N3998 | NJSEMI |
获取价格 |
N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON POWER TRANSISTOR |
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