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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.31 |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3994A | NJSEMI |
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P-CHANNEL JINCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| 2N3994A | INTERFET |
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P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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| 2N3994A | NSC |
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TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,25V V(BR)DSS,2MA I(DSS),TO-72 |
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| 2N3996 | SEMICOA |
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Silicon NPN Transistor |
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| 2N3996 | SSDI |
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5 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N3996 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3996 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 |
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| 2N3996_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3996SMD | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3996SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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