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2N3114CSM

更新时间： 2024-01-16 22:33:50

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描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

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2N3114CSM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
基于收集器的最大容量：	9 pF	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.8 W	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2N3114CSM 数据手册

SILICON PLANAR EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

2N3114CSM

•

High Voltage

Hermetic Ceramic Surface Mount Package

Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers,

Driver Stages and Signal Processing Applications

•

Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

150V

CBO

CEO

EBO

150V

Continuous Collector Current

Total Power Dissipation at

150mA

T = 25°C

350mW

Derate Above 25°C

2mW/°C

-65 to +200°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

stg

THERMAL PROPERTIES

Symbols

Parameters

Min.

Typ. Max. Units

Thermal Resistance, Junction To Ambient

500

°C/W

θJA

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Document Number 5293

Issue 2

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