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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DLCC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3114CSM_09 | SEME-LAB |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N3115 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3115LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N3116 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3117 | NJSEMI |
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SI NPN LO-PWR BJT MANUFACTURER |
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| 2N3117 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3117LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N3118 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N3119 | NJSEMI |
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SI NPN POWER HF BJI MANUFACTURER |
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| 2N3119 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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