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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.8 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3114CSM_09 | SEME-LAB | SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N3115 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3115LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N3116 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3117 | NJSEMI | SI NPN LO-PWR BJT MANUFACTURER |
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| 2N3117 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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