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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3114 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3114CSM | SEME-LAB |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N3114CSM_09 | SEME-LAB |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N3115 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3115LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N3116 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3117 | NJSEMI |
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SI NPN LO-PWR BJT MANUFACTURER |
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| 2N3117 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3117LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N3118 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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