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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3024 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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| 2N3024 | TI |
获取价格 |
3A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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| 2N3025 | TI |
获取价格 |
3A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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| 2N3025E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3026 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N3026E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3027 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 2N3027 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNPN PASSIVATED PLANAR CONTROLLED SWITCH |
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| 2N3027 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 500mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, |
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| 2N3027E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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