2N2907AUB

更新时间： 2024-10-04 22:49:23

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

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2N2907AUB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	0.72
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.16 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

2N2907AUB 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 291

Devices

2N2906A

Qualified Level

JAN

2N2907A

2N2906AL

2N2906AUA

2N2906AUB

2N2907AL

2N2907AUA

2N2907AUB

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

All Types Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CBO

TO-18* (TO-206AA)

5.0

600

V_EBO

mAdc

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

@ T_C= +25⁰C

0.4

1.8

⁰C

(1)

P_T

(2 / 3)

4 PIN*

2N2906AUA, 2N2907AUA

P_T

T_J_,T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

stg

1) Derate linearly 2.28 mW/⁰C for T_A> +25⁰C.

2) Derate linearly 10.3 mW/⁰C for T_C> +25⁰C.

3) For UA and UB surface mount case outlines: P_T= 1.16 W;

derate linearly 6.6mW/⁰C for T_C> +25⁰C.

3 PIN*

2N2906AUB, 2N2907AUB

*See appendix A for package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 60 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0 Vdc

mAdc

hAdc

I_CBO

I_CES

I_EBO

hAdc

mAdc

V_EB= 5.0 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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2N2907AUB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS2N2907AUB	MICROSEMI	完全替代	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
2N2907ACSM	SEME-LAB	功能相似	HIGH SPEED, MEDIUM POWER, PNP SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFAC

与2N2907AUB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2907AUB_02	SEMICOA	获取价格	Silicon PNP Transistor
2N2907AUB0	STMICROELECTRONICS	获取价格	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor
2N2907AUB0SW35	STMICROELECTRONICS	获取价格	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor
2N2907AUB1	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A
2N2907AUBC	MICROSEMI	获取价格	RADIATION HARDENED
2N2907AUBCE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
2N2907AUBE3-TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
2N2907AUBG	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A
2N2907AUBT	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A
2N2907AUB-TR	MICROSEMI	获取价格	暂无描述

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