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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 0.72 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.16 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N2907AUB | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2907ACSM | SEME-LAB |
功能相似 |
HIGH SPEED, MEDIUM POWER, PNP SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFAC |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2907AUB_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
|
| 2N2907AUB0 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor |
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| 2N2907AUB0SW35 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor |
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| 2N2907AUB1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A |
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| 2N2907AUBC | MICROSEMI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED |
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| 2N2907AUBCE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| 2N2907AUBE3-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| 2N2907AUBG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A |
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| 2N2907AUBT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A |
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| 2N2907AUB-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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