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2N2913

更新时间： 2024-11-28 22:49:23

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2页	33K
描述
DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE

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2N2913 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-77
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.28
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-77	JESD-30 代码：	O-MBCY-W8
元件数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2N2913 数据手册

2N2913

2N2915

2N2917

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

8.51 (0.335)

9.40 (0.370)

DUAL NPN

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

PLANAR TRANSISTORS IN

TO77 PACKAGE

1.02

(0.040)

Max.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

5.08

(0.200)

2.54

(0.100)

2.54

(0.100)

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

45˚

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

TO–77 PACKAGE

PIN 1 – Collector 1

PIN 2 – Base 1

PIN 4 – Emitter 2

PIN 5 – Base 2

PIN 3 – Emitter 1

PIN 6 – Collector 2

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise stated)

EACH SIDE

45V

TOTAL DEVICE

amb

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

CBO

CEO

EBO

45V

Continuous Collector Current

Total Device Dissipation

= 25°C

AMB

300mW

1.72mW / °C

750mW

4.3mW / °C

500mW

2.86W / °C

1.5W

Derate above 25°C

T = 25°C

Derate above 25°C

Total Device Dissipation

8.6mW / °C

Storage Temperature Range

Lead temperature (Soldering, 10 sec.)

–65 to 200°C

300°C

STG

NOTES

1. Base – Emitter Diode Open Circuited.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Prelim. 9/95

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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