是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BCY | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.04 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 200 MHz |
最大关闭时间(toff): | 300 ns | 最大开启时间(吨): | 40 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N2907 | RAYTHEON |
功能相似 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches | |
2N2907 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2907CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 | |
2N2907D | ZETEX |
获取价格 |
Transistor | |
2N2907DWP | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.025 X 0.025 INCH | |
2N2907J.TX.V | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches | |
2N2909 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-46 | |
2N2910 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | TO-77 | |
2N2911 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 125V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 | |
2N2912 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-36 | |
2N2913 | NJSEMI |
获取价格 |
DUAL NPN LOW LEVEL LOW NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFIERS | |
2N2913 | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE |