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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-205AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2904ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| 2N2904AUB | SEMICOA |
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Chip Type 2C2904A Geometry 0600 Polarity PNP |
|
| 2N2904CSM | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
|
| 2N2904DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
|
| 2N2904E | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
|
| 2N2904E_08 | KEC |
获取价格 |
Laser Marking |
|
| 2N2904E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
|
| 2N2904J | RAYTHEON |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
|
| 2N2904J.TX.V | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
|
| 2N2904JV | RAYTHEON |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
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