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2N2904ALEADFREE PDF预览

2N2904ALEADFREE

更新时间： 2024-01-01 15:28:12
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 502K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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2N2904ALEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.06
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：180 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

2N2904ALEADFREE 数据手册

 浏览型号2N2904ALEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N2904 2N2904A  
2N2905 2N2905A  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
PNP SILICON TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2904, 2N2905  
series types are PNP silicon transistors manufactured  
by the epitaxial planar process, designed for small  
signal, general purpose and switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
2N2904  
2N2905  
60  
2N2904A  
2N2905A  
60  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
40  
60  
V
V
5.0  
0.6  
0.6  
3.0  
I
A
C
P
W
W
°C  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
C
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
2N2904  
2N2905  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=50V  
-
20  
-
10  
nA  
CBO  
CEV  
CB  
CE  
I
V
=30V, VEB=0.5V  
-
-
-
-
50  
-
nA  
V
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
60  
40  
5.0  
-
60  
60  
5.0  
-
CBO  
C
I =10mA  
-
-
V
CEO  
C
I =10μA  
-
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
-
-
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
V
C
B
2N2904  
2N2904A  
2N2905  
2N2905A  
MIN MAX  
MIN  
20  
=10V, I =100μA (2N2904A, 2N2905A) 40  
MAX  
-
h
h
h
h
h
h
h
h
h
V
=10V, I =100μA (2N2904, 2N2905)  
35  
-
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
-
75  
-
C
=10V, I =1.0mA (2N2904, 2N2905)  
25  
-
50  
-
C
=10V, I =1.0mA (2N2904A, 2N2905A) 40  
-
100  
75  
-
C
=10V, I =10mA (2N2904, 2N2905)  
35  
-
-
C
=10V, I =10mA (2N2904A, 2N2905A) 40  
-
100  
100  
30  
-
C
=10V, I =150mA  
40  
20  
120  
300  
C
=10V, I =500mA (2N2904, 2N2905)  
-
-
-
-
C
=10V, I =500mA (2N2904A, 2N2905A) 40  
50  
C
R1 (11-June 2012)  
12

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