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2N2904U

更新时间： 2024-11-30 03:56:03

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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2N2904U 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
最大关闭时间（toff）：	250 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N2904U 数据手册

SEMICONDUCTOR

2N2904U

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

Low Leakage Current

2.00+0.20

1.3+0.1

: I_CEX=50nA(Max.), I_BL=50nA(Max.)

@V_CE=30V, V_EB=3V.

2.1+0.1

1.25+0.1

0.65

0.2+0.10/-0.05

0-0.1

Excellent DC Current Gain Linearity.

Low Saturation Voltage

0.9+0.1

0.15+0.1/-0.05

: V_CE(sat)=0.3V(Max.) @I_C=50mA, I_B=5mA.

Low Collector Output Capacitance

: C_ob=4pF(Max.) @V_CB=5V.

1. Q EMITTER

2. Q BASE

3. Q COLLECTOR

4. Q EMITTER

5. Q BASE

6. Q COLLECTOR

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

US6

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

200

I_B

Base Current

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

200

150

T_stg

Storage Temperature Range

* Total Rating

-55 150

Marking

Lot No.

Type Name

Z A

2008. 9. 23

Revision No : 1

1/4

12 3 4

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