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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.06 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 300 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N2905A | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3251A | CENTRAL |
功能相似 |
Small Signal Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2905/A | ETC |
获取价格 |
PNP Switching Transistors |
|
| 2N2905_12 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| 2N2905A | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| 2N2905A | NXP |
获取价格 |
PNP switching transistors |
|
| 2N2905A | BOCA |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
|
| 2N2905A | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
|
| 2N2905A | ASI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
|
| 2N2905A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-39 Box |
|
| 2N2905A | COMSET |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| 2N2905A | ONSEMI |
获取价格 |
Switching Transistor |
|
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