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2N2904E

更新时间： 2024-11-29 22:35:51

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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2N2904E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	250 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	Base Number Matches：	1

2N2904E 数据手册

SEMICONDUCTOR

2N2904E

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

Low Leakage Current

1.6+0.05

1.0+0.05

: I_CEX=50nA(Max.), I_BL=50nA(Max.)

@V_CE=30V, V_EB=3V.

1.6+0.05

1.2+0.05

0.50

0.2+0.05

Excellent DC Current Gain Linearity.

Low Saturation Voltage

0.5+0.05

0.12+0.05

: V_CE(sat)=0.3V(Max.) @I_C=50mA, I_B=5mA.

Low Collector Output Capacitance

: C_ob=4pF(Max.) @V_CB=5V.

1. Q EMITTER

2. Q BASE

3. Q BASE

4. Q COLLECTOR

5. Q EMITTER

6. Q COLLECTOR

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

TES6

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

200

I_B

Base Current

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

200

150

T_stg

Storage Temperature Range

* Total Rating

-55 150

Marking

Type Name

Z C

2002. 9. 17

Revision No : 0

1/4

12 3 4

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