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2N2852-1

更新时间： 2024-02-05 14:11:28

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	215K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-39

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技术参数
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2N2852-1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.85 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N2852-1 数据手册

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