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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.44 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-111 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2855-3 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5VAR |
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| 2N2855LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N2856 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-52VAR |
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| 2N2856-1 | APITECH | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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| 2N2856-2 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111 |
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| 2N2856-3 | APITECH | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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