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2N2857

更新时间： 2024-02-02 04:48:57

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SEMICOA		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	45K
描述
Type 2N2857 Geometry 0011 Polarity NPN

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2N2857 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.04 A	基于收集器的最大容量：	1.7 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N2857 数据手册

Data Sheet No. 2N2857

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N2857

Type 2N2857

Geometry 0011

Polarity NPN

REF: MIL-PRF-19500/343

Qual Level: JAN - JANS

Features:

Low power, ultra-high frequency

transistor.

Housed in TO-72 case.

Also available in chip form using

the 0011 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/343 which

Semicoa meets in all cases.

TO-72

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

3.0

^oC

T_J

-65 to +200

^oC

T_STG

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