5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 8.75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N285A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N285B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N2861 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N2861LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
|
| 2N2862 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N2862LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N2863 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| 2N2864 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| 2N2865 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors |
|
| 2N2865LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-72, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
