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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2878E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| 2N2879 | VISHAY |
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NPN SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
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| 2N2879 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 |
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| 2N2880 | MICROSEMI |
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5 Amp, 80V, Planar, NPN Power Transistors JAN,JTX,JANTXV,JANS |
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| 2N2880 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
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| 2N2880_1 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N2880-220M | SEME-LAB |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N2883 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2890 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N2890 | SSDI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN |
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