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2N2879 PDF预览

2N2879

更新时间： 2024-01-26 12:13:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	163K
描述
NPN SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS

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技术参数
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2N2879 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N2879 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2880	MICROSEMI	5 Amp, 80V, Planar, NPN Power Transistors JAN,JTX,JANTXV,JANS	获取价格
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2N2880-220M	SEME-LAB	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
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