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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-111 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-111 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-X4 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2880_1 | MICROSEMI | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N2880-220M | SEME-LAB | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N2883 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2890 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N2890 | SSDI | Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN |
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| 2N2890 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-5 |
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