是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.38 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 20 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 12 |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 150 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2862LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 | |
2N2863 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 | |
2N2864 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 | |
2N2865 | CENTRAL |
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Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors | |
2N2865LEADFREE | CENTRAL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-72, | |
2N2866 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 | |
2N2867 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 | |
2N2868 | NJSEMI |
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NPN HIGH CURRENT HIGH SPEED SWITCH | |
2N2868 | ONSEMI |
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40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 | |
2N2869 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |