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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2857 | CENTRAL | Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors |
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| 2N2857 | SEME-LAB | NPN TRANSISTOR |
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| 2N2857 | SEMICOA | Type 2N2857 Geometry 0011 Polarity NPN |
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| 2N2857 | MICROSEMI | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| 2N2857 | MPLUSE | Silicon Bipolar Low Noise microwave Transistors |
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| 2N2857 | NJSEMI | SILICON SMALL SIGNAL RF TRANSISTORS |
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