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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-206AB |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2604_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
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| 2N2604LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N2604UB | MICROSEMI |
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PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
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| 2N2605 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
|
| 2N2605 | SEMICOA |
获取价格 |
Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN |
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| 2N2605 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N2605 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3-Pin TO-46 |
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| 2N2605A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| 2N2605CSM | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| 2N2605UB | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
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