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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.46 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2605 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
|
| 2N2605 | SEMICOA |
获取价格 |
Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN |
|
| 2N2605 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N2605 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3-Pin TO-46 |
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| 2N2605A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| 2N2605CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
|
| 2N2605UB | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
|
| 2N2606 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 500UA I(DSS) | TO-18 |
|
| 2N2607 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
|
| 2N2608 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
|
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