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2N2605

更新时间： 2024-02-10 10:21:01

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SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	33K
描述
Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN

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2N2605 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2605 数据手册

Data Sheet No. 2C2605

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

Chip Type 2C2605

Geometry 0220

Polarity NPN

2N2604, 2N2605, 2N3798,

2N3799, 2N3810, 2N3811

Chip type 2C2605 by Semicoa Semi-

conductors provides performance

similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS: Designed for high

speed switching applications.

Part Numbers:

2N2604, 2N2605, 2N3789, 2N3799, 2N3810,

2N3811

Features:

High speed switching capabilities

Mechanical Specifications

Top

Backside

Emitter

Base

Al - 19.5 kÅ min.

Metallization

Au - 6.5 kÅ nom.

3.6 mils diameter

2.5 mils diameter

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

18 mils x 18 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

Test conditions

I_C= 10.0 A, I_B= 0

Min

Max

---

Unit

V dc

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

I_C= 10 µA, I_E= 0

---

I_E= 10 µA, I_C= 0

6.0

---

V_CB= 60 Vc, I_E= 0

h_FE

I_C= 500 µA dc, V_CE= 5.0 V

150

450

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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2N2605 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N2605	MICROSEMI	类似代替	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

与2N2605相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2605A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-46
2N2605CSM	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1
2N2605UB	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
2N2606	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| P-CHANNEL \| 500UA I(DSS) \| TO-18
2N2607	INTERSIL	获取价格	N-CHANNEL JFET
2N2608	INTERSIL	获取价格	N-CHANNEL JFET
2N2608	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
2N2608	CENTRAL	获取价格	Junction FETs Low Frequency/ Low Noise
2N2608	NJSEMI	获取价格	Trans JFET P-CH 5mA 3-Pin TO-18
2N2609	CENTRAL	获取价格	Junction FETs Low Frequency/ Low Noise